향후 D램·낸드플래시 대체할 가능성 있어
(서울=포커스뉴스) D램과 낸드플래시를 대체할 'Re램과 STT-M램' 등이 예전부터 차세대 기억장치로 주목 받고 있다. 그러나 현재 상용화 단계까지는 이르지 못하고 있다. 아직은 시장성 여부가 불투명하기 때문이다.
21일 관련업계에 따르면 국내외 반도체 기업들은 2000년대부터 'D램과 낸드플래시'를 대체할 차세대 메모리 반도체에 대한 연구를 진행하고 있지만, 양산과 상용화에 대한 구체적인 계획에 대해 조심스러운 입장을 취하고 있다. 그러면서도 제품의 시장성 성공여부는 열어두고 있는 상태다.
차세대 기억장치 중 하나인 STT-M램(스핀주입자화반전메모리·Spin Transfer Torque-Magnetoresistive RAM)은 자성의 변화를 이용해 데이터를 저장한다. 데이터 입출력 속도가 빠르고 소자의 집적도가 높아 소비전력이 낮은 편이다. D램 시장을 대체할 것이라는게 업계의 목소리다.
D램은 데이터의 임시 기억 장치로 전원이 꺼지면 데이터가 사라진다. 내부구조가 복잡하지만 데이터 처리 속도는 빠른 편이다. D램은 컴퓨터·모바일·그래픽카드·서버와 각종 디지털기기에 적용된다.
Re램(저항변화메모리·Resistive RAM)은 전기 저항의 변화를 이용해 데이터를 저장한다. 고용량 구현이 가능해 업계에서는 Re램이 낸드플래시 시장을 대체할 것으로 보고 있다. 낸드플래시는 내부 구조는 단순하지만 데이터 처리 속도가 느리다는 단점이 있다. USB메모리나 노트북에 탑재되는 SSD(Solid State Drive)에 쓰인다.
앞서 2000년대 후반 삼성전자는 'PC램(P램)'을 양산하고 당시 휴대폰(피처폰)에 탑재한 바 있다. P램은 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시 메모리의 장점과 빠른 처리 속도를 자랑하는 D램의 장점을 두루 갖췄다.
업계에서는 지속적으로 차세대 반도체 메모리 개발을 진행 중이다. SK하이닉스 관계자는 "차세대 메모리의 양산 시점 등은 구체화 되지 않았다"면서도 "현재 M램, PC램, Re램을 유력한 후보로 보고 계속해서 개발을 진행 중"이라고 설명했다.
삼성전자도 마찬가지다. 지난 20일 김기남 삼성전자 반도체총괄 사장은 서울 서초사옥에서 열린 수요사장단협의회에 참석 전 기자들과 만난 자리에서 "M램과 Re램을 준비하고 있다"라는 취지의 답변을 전했다.
한편 삼성전자는 올 2월 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터)8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 세계 최초로 개발했다. 차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였다. 10나노급 D램은 캐패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 더욱 높은 속도에도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했다.<사진출처=픽사베이>
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