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| △ 삼성 사장단회의, 김기남 삼성전자 사장 |
(서울=포커스뉴스) 삼성전자가 차세대 메모리로 주목 받고 있는 M램과 Re램을 준비 중인 것으로 확인됐다.
김기남 삼성전자 반도체총괄 사장은 20일 오전 서울 서초사옥에서 열린 수요사장단협의회에 참석하기 전 기자들과 만난 자리에서 "M램과 Re램을 준비하고 있나"라는 질문에 "그렇다"라고 말했다.
M램은 자기저항 효과를 이용한 뉴메모리로, 구조가 단순하고 속도는 D램보다 빠르다. Re램은 전기적 저항 특성이 외부전압이나 전류에 의해 변화하는 원리를 이용한 차세대 비휘발성 메모리다.
앞서 삼성전자는 올해 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 밝힌 바 있다. 10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있다.
업계 관계자는 "Re램, M램 등 차세대 메모리는 D램과 낸드 보다 성능이 뛰어나다"며 "차세대 메모리로 빅데이터 분석 등이 용이해 질 것"이라고 설명했다.김기남 삼성전자 반도체총괄 사장. 2015.12.02 허란 기자
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